Plasmaätzen

Plạsma|ätzen,

 

Abkürzung PE [zu englisch plasma etching], Halbleitertechnik: ein Trockenätzverfahren für die Strukturübertragung auf Halbleiterbauelemente, bei dem ein »Parallelplattenreaktor« als Rezipient verwendet wird. Die Elektroden, die die zu ätzenden Halbleiterscheiben (Wafer) tragen, liegen beim Plasmaätzen, anders als beim reaktiven Ionenätzen, zusammen mit dem Rezipienten auf Erdpotenzial. Die hierauf beruhende Feldasymmetrie bewirkt, dass die Ionen aus der Gasentladung mit geringerer kinetischer Energie auf die Halbleiterscheiben auftreffen als beim reaktiven Ionenätzen (Energien unterhalb etwa 100 eV, bei typischem Drücken von etwa 15 Pa bis 1 500 Pa).